热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
提出了一种热氧化的方法来改善干法刻蚀硅波导的表面质量.通过Suprem二维工艺模拟程序对氧化过程的物理模型进行了分析.用实验证实了该方法的可行性并与模拟结果进行了比较.实验中将硅波导的表面粗糙度由65.4nm降低到了8.8nm.另外讨论了分次氧化方法的利弊. 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈媛媛;夏金松;樊中朝;余金中.热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度,半导体学报,2004,25(11):1544-1548 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
