缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
利用自制的在位监测系统, 研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时, GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律. 在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明, 缓冲层生长压力越大, GaN缓冲层退火后成核中心体积越小, 表面粗糙度越大, 高温生长GaN岛间合并延迟. X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测量结果表明, GaN缓冲层生长压力增大时外延的GaN结晶质量得到改善. 利用自制的在位监测系统, 研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时, GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律. 在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明, 缓冲层生长压力越大, GaN缓冲层退火后成核中心体积越小, 表面粗糙度越大, 高温生长GaN岛间合并延迟. X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测量结果表明, GaN缓冲层生长压力增大时外延的GaN结晶质量得到改善. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:33导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4612.pdf: 533350 bytes, checksum: 425ef7ad4bf627e76916b72369334518 (MD5) Previous issue date: 2004 国家自然科学基金,国家杰出青年基金,NSFC-RGC联合基金 四川大学材料科学系;中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金,国家杰出青年基金,NSFC-RGC联合基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈俊;张书明;张宝顺;朱建军;冯淦;段俐宏;王玉田;杨辉;郑文琛.缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响,中国科学. E辑， 技术科学,2004,34(0):1 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
