SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
SOI(Silicon-on-insulator, 绝缘衬底上的硅)是一种折射率差大、波导传输损耗小的新型材料, SOI基光电子器件具有与微电子工艺兼容、能够实现OEIC单片集成等优点, 近年来受到越来越多的重视. 文中重点研究了SOI波导器件的新进展, 采用高效数值模拟方法研究得出了精确的SOI矩形和梯形大截面脊形波导的单模条件, 设计和制作了单模脊形光波导、多模干涉耦合器(MMI)、可变光衰减器(VOA)、马赫-曾德尔干涉型2×2热光波导光开关, 在此基础上首次研制出4×4和8(8 SOI平面集成波导光开关矩阵. 国家"九七三"计划,"八六三"计划,国家自然科学重大基金,国家自然科学重点基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
余金中;陈少武;夏金松;王章涛;樊中朝;李艳萍;刘敬伟;杨笛;陈媛媛.SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展,中国科学. E辑， 技术科学,2004,34(0):10 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
