高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
用深能级瞬态谱(DLTS)研究了高温退火处理后磷化铟中的深能级缺陷.在退火前以及纯磷和磷化铁气氛下,退火后低阻磷化铟中的深能级缺陷的数量和浓度明显不同,磷化铁气氛下退火后的磷化铟中只有0.24和0.64 eV两个缺陷,而纯磷气氛下退火后的磷化铟中可测到0.24,0.42,0.54和0.64 eV4个缺陷,退火前的原生磷化铟样品中有的只有0.49和0.64 eV两个缺陷,有的只有0.13 eV一个缺陷.根据这些结果,讨论了退火气氛对缺陷的产生和抑制作用的物理机理. 用深能级瞬态谱(DLTS)研究了高温退火处理后磷化铟中的深能级缺陷.在退火前以及纯磷和磷化铁气氛下,退火后低阻磷化铟中的深能级缺陷的数量和浓度明显不同,磷化铁气氛下退火后的磷化铟中只有0.24和0.64 eV两个缺陷,而纯磷气氛下退火后的磷化铟中可测到0.24,0.42,0.54和0.64 eV4个缺陷,退火前的原生磷化铟样品中有的只有0.49和0.64 eV两个缺陷,有的只有0.13 eV一个缺陷.根据这些结果,讨论了退火气氛对缺陷的产生和抑制作用的物理机理. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:32导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4609.pdf: 174034 bytes, checksum: a5070e941271fdf3ec095869c8a07d40 (MD5) Previous issue date: 2004 国家自然科学基金资助项目 中国科学院半导体研究所材料科学中心 国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
董志远;赵有文;曾一平;段满龙;李晋闽.高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷,中国科学. E辑， 技术科学,2004,34(0):5 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
