硅基微电子新材料SGOI薄膜研究进展
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
绝缘体上的锗硅技术(SiGeonInsulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术(StrainedSilicononInsulator,sSOI)融合了SiGe技术和SOI技术二者的优点,是近年来人们广泛重视的研究热点和硅基集成电路产业进一步发展的重要研究方向,是国际半导体技术发展路线图(ITRS)中CMOS技术今后几年发展的方向.文章综述了SGOI薄膜的多种制备方法和最新研究进展. 绝缘体上的锗硅技术(SiGeonInsulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术(StrainedSilicononInsulator,sSOI)融合了SiGe技术和SOI技术二者的优点,是近年来人们广泛重视的研究热点和硅基集成电路产业进一步发展的重要研究方向,是国际半导体技术发展路线图(ITRS)中CMOS技术今后几年发展的方向.文章综述了SGOI薄膜的多种制备方法和最新研究进展. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:29导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4600.pdf: 592209 bytes, checksum: 2a03ec89f6efda766e98b1282f248ab2 (MD5) Previous issue date: 2005 国家自然科学基金资助项目 中国科学院半导体研究所材料中心 国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
高兴国;刘超;李建平;曾一平;李晋闽.硅基微电子新材料SGOI薄膜研究进展,微电子学,2005,35(1):76-80 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
