Mn注入 n型 Ge单晶的特性研究
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
采用离子能量为 100keV,剂量为 3× 1016cm- 2的离子注入技术,室温下往 n型 Ge( 111)单晶 衬底注入 Mn+离子,注入后的样品进行 400℃热处理.利用 X-射线衍射法 (XRD)和原子力显微 镜( AFM)对注入后的样品进行了结构和形貌分析, 俄歇电子能谱法 (AES)进行了组分分析,交变 梯度样品磁强计( AGM)进行了室温磁性测量.结果表明原位注入样品的结构是非晶的,热处理后 发生晶化现象.没有在样品中观察到新相形成. Mn离子较深的注入进 Ge衬底,在 120 nm处 Mn原子百分比浓度达到最高为 8%.热处理后的样品表现出了室温铁磁特性. 采用离子能量为 100keV,剂量为 3× 1016cm- 2的离子注入技术,室温下往 n型 Ge( 111)单晶 衬底注入 Mn+离子,注入后的样品进行 400℃热处理.利用 X-射线衍射法 (XRD)和原子力显微 镜( AFM)对注入后的样品进行了结构和形貌分析, 俄歇电子能谱法 (AES)进行了组分分析,交变 梯度样品磁强计( AGM)进行了室温磁性测量.结果表明原位注入样品的结构是非晶的,热处理后 发生晶化现象.没有在样品中观察到新相形成. Mn离子较深的注入进 Ge衬底,在 120 nm处 Mn原子百分比浓度达到最高为 8%.热处理后的样品表现出了室温铁磁特性. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:25导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4593.pdf: 478810 bytes, checksum: 3d1e2f375d43407f02c0d00397dce183 (MD5) Previous issue date: 2005 国家自然科学基金,国家重大基础研究计划项目 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金,国家重大基础研究计划项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘力锋;陈诺夫;尹志岗;杨霏;周剑平;张富强.Mn注入 n型 Ge单晶的特性研究,功能材料与器件学报,2005,11(1):15-18 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
