基于SOI材料的阵列波导光栅的制作
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
采用ICP刻蚀的方法,在SOI材料上制作出了中心波长为1.5509μm、信道间隔为200GHz的5×5阵列波导光栅(AWG).测试中心波长与设计值相差0.28nm,测试波长间隔与设计值相差在0.02nm之内,相邻信道串扰接近10dB,信道插入损耗均匀性为0.7dB,测试结果表明该器件能够初步达到分波功能. 采用ICP刻蚀的方法,在SOI材料上制作出了中心波长为1.5509μm、信道间隔为200GHz的5×5阵列波导光栅(AWG).测试中心波长与设计值相差0.28nm,测试波长间隔与设计值相差在0.02nm之内,相邻信道串扰接近10dB,信道插入损耗均匀性为0.7dB,测试结果表明该器件能够初步达到分波功能. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:19导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4575.pdf: 853385 bytes, checksum: 86223b3f4003001dacc2f1f474206f2d (MD5) Previous issue date: 2005 国家自然科学基金资助项目 中国科学院半导体研究所,光电子研发中心 国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
方青;李芳;刘育梁.基于SOI材料的阵列波导光栅的制作,红外与毫米波学报,2005,24(2):143-146 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
