GaAs/GaInNAs多量子阱谐振腔增强型长波长光探测器
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
报道了一种具有高速响应特性的GaAs基长波长谐振强增强型(RCE)光探测器,它采用分子束外延技术(MBE)在GaAs衬底上直接生长GaAs/AlAs布拉格反射镜(DBR)和GaInNAs/GaAs多量子阱吸收层而形成,解决了GaAs系材料只能对短波长光响应的问题,实现了GaAs基探测器对长波长光的响应.该器件在峰值响应波长1 296.5 nm处获得了17.4%的量子效率,响应谱线半宽为11 nm,零偏置时的暗电流密度8.74×10-15 A/μm~2,具有良好的暗电流特性.通过RC常数测量计算得到器件的3 dB带宽为4.82 GHz. 报道了一种具有高速响应特性的GaAs基长波长谐振强增强型(RCE)光探测器,它采用分子束外延技术(MBE)在GaAs衬底上直接生长GaAs/AlAs布拉格反射镜(DBR)和GaInNAs/GaAs多量子阱吸收层而形成,解决了GaAs系材料只能对短波长光响应的问题,实现了GaAs基探测器对长波长光的响应.该器件在峰值响应波长1 296.5 nm处获得了17.4%的量子效率,响应谱线半宽为11 nm,零偏置时的暗电流密度8.74×10-15 A/μm~2,具有良好的暗电流特性.通过RC常数测量计算得到器件的3 dB带宽为4.82 GHz. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:11导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4570.pdf: 1095803 bytes, checksum: 80affbf3d22023f626295ff4fe327696 (MD5) Previous issue date: 2005 国家"847"计划资助项目 北京邮电大学光通信中心;中国科学院半导体研究所 国家"847"计划资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周震;杨晓红;韩勤;杜云;彭红玲;吴荣汉;黄永清;任晓敏.GaAs/GaInNAs多量子阱谐振腔增强型长波长光探测器,光电子·激光,2005,16(2):159-163 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
