氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究
Data(s) |
2005
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Resumo |
利用X射线衍射(XRD),X射线摇摆曲线(XRC)和X射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的ZnO/Si异质结薄膜进行了分析.结果表明:用该法可生长出高度c轴单一取向ZnO薄膜,XRC的半高宽度(FWHM)仅为2.918°.表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的ZnO/Si薄膜. 利用X射线衍射(XRD),X射线摇摆曲线(XRC)和X射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的ZnO/Si异质结薄膜进行了分析.结果表明:用该法可生长出高度c轴单一取向ZnO薄膜,XRC的半高宽度(FWHM)仅为2.918°.表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的ZnO/Si薄膜. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:08导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4566.pdf: 273626 bytes, checksum: 23b3457a9f7469ade700404233015851 (MD5) Previous issue date: 2005 国家"863"计划资助项目 (北京)中国地质大学材料科学与工程学院;北京师范大学分析测试中心;北京市第四十七中学;中科院半导体所 国家"863"计划资助项目 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
李庚伟;吴正龙;邵素珍;张建辉;刘志凯.氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究,材料导报,2005,19(2):109-111 |
Palavras-Chave | #半导体材料 |
Tipo |
期刊论文 |