氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究


Autoria(s): 李庚伟; 吴正龙; 邵素珍; 张建辉; 刘志凯
Data(s)

2005

Resumo

利用X射线衍射(XRD),X射线摇摆曲线(XRC)和X射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的ZnO/Si异质结薄膜进行了分析.结果表明:用该法可生长出高度c轴单一取向ZnO薄膜,XRC的半高宽度(FWHM)仅为2.918°.表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的ZnO/Si薄膜.

利用X射线衍射(XRD),X射线摇摆曲线(XRC)和X射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的ZnO/Si异质结薄膜进行了分析.结果表明:用该法可生长出高度c轴单一取向ZnO薄膜,XRC的半高宽度(FWHM)仅为2.918°.表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的ZnO/Si薄膜.

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国家"863"计划资助项目

(北京)中国地质大学材料科学与工程学院;北京师范大学分析测试中心;北京市第四十七中学;中科院半导体所

国家"863"计划资助项目

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17153

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103214

Idioma(s)

中文

Fonte

李庚伟;吴正龙;邵素珍;张建辉;刘志凯.氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究,材料导报,2005,19(2):109-111

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文