一个实用的部分耗尽SOI器件体接触仿真模型
| Data(s) |
2005
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| Resumo |
文章描述了PD SOI器件的体接触失效过程,介绍了一种PD SOI器件一级近似体接触电阻计算方法;提出了一种实用的体接触电阻及其版图寄生参数的模型化方法.最后,应用体接触模型,设计了一个应用于0.8 μm PD SOI 128k SRAM的灵敏放大器,给出了仿真结果. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
姜凡;尹雪松;刘忠立.一个实用的部分耗尽SOI器件体接触仿真模型,微电子学,2005,35(2):138-141 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
