InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
为了生长制作器件所需的外延片,采用低压金属有机物化学气相沉积方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管(HBT)结构、1.55μm多量子阱激光二极管以及两者集成的光发射光电集成电路材料结构.激光器结构的生长温度为655℃,有源区为5个周期的InGaAsP/ InGaAsP多量子阱(阱区λ＝1.6μm,垒区λ＝1.28μm);HBT结构则采用550℃低温生长,其中基区采用Zn掺杂,掺杂浓度约为2×1019cm-3.对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射,光致发光谱和二次离子质谱仪的测试,结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求. 国家高技术研究发展计划资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
江李;林涛;韦欣;王国宏;张广泽;张洪波;马骁宇;李献杰.InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长,半导体学报,2005,26(2):319-323 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
