部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟(F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力,通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压,发现F具有抑制辐射感生pMOSFET和nMOSFET阈值电压漂移的能力,并且可以减小nMOSFET中由辐照所产生的漏电流.说明在SOI材料中前后Si/SiO2界面处的F可以减少空穴陷阱密度,有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力. 采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟(F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力,通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压,发现F具有抑制辐射感生pMOSFET和nMOSFET阈值电压漂移的能力,并且可以减小nMOSFET中由辐照所产生的漏电流.说明在SOI材料中前后Si/SiO2界面处的F可以减少空穴陷阱密度,有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:03导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4556.pdf: 298651 bytes, checksum: c76636cb174436ebfa28d32259a1e789 (MD5) Previous issue date: 2005 中国科学院半导体研究所;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李宁;张国强;刘忠立;范楷;郑中山;林青;张正选;林成鲁.部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应,半导体学报,2005,26(2):349-353 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
