RTD与PHEMT集成的几个关键工艺
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上,研究和分析了分立器件的制作工艺,给出了分立器件的制作工艺参数.利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性.测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs＝0.5V时的饱和电流约为270mA/mm.这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础. 在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上,研究和分析了分立器件的制作工艺,给出了分立器件的制作工艺参数.利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性.测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs＝0.5V时的饱和电流约为270mA/mm.这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:02导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4555.pdf: 331440 bytes, checksum: b2c5ddb526c254bfbfdb54997ef6a380 (MD5) Previous issue date: 2005 国家重点基础研究专项经费,中国科学院特别支持资助项目 中国科学院半导体研究所,微电子研发中心;中国科学院半导体研究所,光电子研发中心;中国科学院半导体研究所,新材料部;中国科学院半导体研究所 国家重点基础研究专项经费,中国科学院特别支持资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王建林;刘忠立;王良臣;曾一平;杨富华;白云霞.RTD与PHEMT集成的几个关键工艺,半导体学报,2005,26(2):390-394 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
