MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN∶Mg外延膜,对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,950℃退火后空穴浓度达到5×1017cm-3以上,电阻率降到2.5Ω·cm;(0002)面DCXRD测试发现样品退火前、后的半峰宽均约为4′;室温PL谱中发光峰位于2.85eV处,退火后峰的强度比退火前增强了8倍以上,表明样品中大量被H钝化的受主Mg原子在退火后被激活. 用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN∶Mg外延膜,对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,950℃退火后空穴浓度达到5×1017cm-3以上,电阻率降到2.5Ω·cm;(0002)面DCXRD测试发现样品退火前、后的半峰宽均约为4′;室温PL谱中发光峰位于2.85eV处,退火后峰的强度比退火前增强了8倍以上,表明样品中大量被H钝化的受主Mg原子在退火后被激活. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:04:59导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4546.pdf: 275248 bytes, checksum: 20366cef6cedb8c9c54930a6a6e7fcbd (MD5) Previous issue date: 2005 国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金 中国科学院半导体研究所 国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
冉军学;王晓亮;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽.MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究,半导体学报,2005,26(3):494-497 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
