p型GaN的掺杂研究
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
采用正交实验设计方法设计p型GaN的生长,通过较少的实验,优化了影响p型GaN性质的三个生长参数:Mg流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比.过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ/Ⅲ比都会降低自由空穴浓度.还研究了退火温度对p型GaN的载流子浓度和光学性质的影响.实验结果表明,700～750℃范围为最佳退火温度. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
金瑞琴;朱建军;赵德刚;刘建平;张纪才;杨辉.p型GaN的掺杂研究,半导体学报,2005,26(3):508-512 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
