GaAs/AlGaAs量子级联激光器
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
利用分子束外延方法生长了激射波长约为9μm的GaAs/Al0.45Ga0.55As量子级联激光器.条宽35μm,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW. 利用分子束外延方法生长了激射波长约为9μm的GaAs/Al0.45Ga0.55As量子级联激光器.条宽35μm,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:04:58导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4543.pdf: 241103 bytes, checksum: c13baba05e165283ac93cf9ca9bb1735 (MD5) Previous issue date: 2005 国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘俊岐;路秀真;郭瑜;刘峰奇;王占国.GaAs/AlGaAs量子级联激光器,半导体学报,2005,26(3):624-626 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
