大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明失配应变与弹性系数随压力的变化是大量子点压力系数小的主要原因之一.压力实验结果还表明大量子点的第一激发态发光峰来源于电子的第一激发态到空穴的第一激发态的跃迁. 在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明失配应变与弹性系数随压力的变化是大量子点压力系数小的主要原因之一.压力实验结果还表明大量子点的第一激发态发光峰来源于电子的第一激发态到空穴的第一激发态的跃迁. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:04:56导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4538.pdf: 288524 bytes, checksum: a1b2f3576a33fc2a4fdffbf1944ecefe (MD5) Previous issue date: 2005 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划(973计划),中国科学院纳米科学与技术资助项目 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划(973计划),中国科学院纳米科学与技术资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
马宝珊;王晓东;骆军委;苏付海;方再利;丁琨;牛智川;李国华.大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱,红外与毫米波学报,2005,24(3):207-212 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
