缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响
| Data(s) |
2005
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| Resumo |
本文研究了低温GaN(LT-GaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响.用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LT-GaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致.用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LT-GaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显.通过分析进一步确认LT-GaN缓冲层的最优生长时间. 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
吴洁君;韩修训;李杰民;黎大兵;魏宏远;康亭亭;王晓晖;刘祥林;王占国.缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响,人工晶体学报,2005,34(3):466-470 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
