GaN生长速率的研究
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不同NH3流量的情况下,GaN生长速率随TMGa流量增加的速率不同.GaN的生长速率与Ⅴ/Ⅲ比没有直接的关系,而与NH3,TMGa等条件有关.实验结果表明,MOCVD系统中存在着较强的预反应.预反应的程度与TMGa的流量成正比. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
金瑞琴;赵德刚;刘建平;张纪才;杨辉.GaN生长速率的研究,半导体学报,2005,26(4):726-729 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
