注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响
| Data(s) |
2005
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| Resumo |
研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响.氮注入SIMOX的埋氧层并退火后,将减小前栅MOS-FET/SIMOX的阈电压,提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX器件的I-V特性有重要影响. 研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响.氮注入SIMOX的埋氧层并退火后,将减小前栅MOS-FET/SIMOX的阈电压,提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX器件的I-V特性有重要影响. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:04:48导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4517.pdf: 230158 bytes, checksum: 3b3537e985f1266583e6f9f9df73e45d (MD5) Previous issue date: 2005 中国科学院半导体研究所;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张国强;刘忠立;李宁;范楷;郑中山;张恩霞;易万兵;陈猛;王曦.注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响,半导体学报,2005,26(4):835-839 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
