部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究
| Data(s) |
2005
|
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| Resumo |
介绍了部分耗尽型SOI MOS器件浮体状态下的Kink效应及对模拟电路的影响.阐述了4种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型SOI MOS器件Kink效应的工艺方法,同时给出了部分耗尽型SOIMOSFET工作在浮体状态下时模拟电路的设计方法. 介绍了部分耗尽型SOI MOS器件浮体状态下的Kink效应及对模拟电路的影响.阐述了4种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型SOI MOS器件Kink效应的工艺方法,同时给出了部分耗尽型SOIMOSFET工作在浮体状态下时模拟电路的设计方法. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:04:48导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4513.pdf: 597238 bytes, checksum: d65f9bf1112d64138bca4f5d0e613568 (MD5) Previous issue date: 2005 中国科学院半导体研究所,微电子研究发展中心 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
尹雪松;姜凡;刘忠立.部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究,半导体技术,2005,30(4):54-57 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
