垂直耦合自组织InAs双量子点中激子能的计算


Autoria(s): 董庆瑞; 牛智川
Data(s)

2005

Resumo

在有效质量近似条件下研究了垂直耦合的自组织InAs/GaAs量子点的激子态.在绝热近似条件下,采用传递矩阵方法计算了电子和空穴的能谱.通过哈密顿量矩阵的对角化,对电子和空穴间的库仑相互作用进行了精确处理.讨论了两量子点间的垂直距离对激子基态能的影响.从基态波函数概率分布的角度,讨论了激子的束缚能.计算了重空穴和轻空穴激子的基态能随外部垂直磁场变化的函数关系.计算了量子点大小(量子点半径)对激子能的影响.

国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17043

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103159

Idioma(s)

中文

Fonte

董庆瑞;牛智川.垂直耦合自组织InAs双量子点中激子能的计算,物理学报,2005,54(4):1794-1798

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文