径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟


Autoria(s): 左然; 张红; 刘祥林
Data(s)

2005

Resumo

对径向三重流MOCVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.在模拟计算中,分别改变反应腔几何尺寸、导流管位置、流量、压强、温度等条件,得到反应器流场、温场、浓度场的相应变化.根据对模拟结果的分析,发现反应腔内涡旋首先在流动的转折处产生,上下壁面温差的加大使涡旋增大,中管进口流量的增加对涡旋产生抑制作用,内管和外管流量的增加对涡旋产生扩大作用.得出输运过程的优化条件为:反应腔上下壁靠近,导流管水平延长,中管进口流量尽量大于内、外管流量,压强尽量低于105Pa,上下壁面温差尽量减小等.

国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17019

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103147

Idioma(s)

中文

Fonte

左然;张红;刘祥林.径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟,半导体学报,2005,26(5):977-982

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文