非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟


Autoria(s): 胡志华; 廖显伯; 刁宏伟; 夏朝凤; 许玲; 曾湘波; 郝会颖; 孙光临
Data(s)

2005

Resumo

运用AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)模拟分析了TCO/p-a-SiC:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H/metal结构的异质结非晶硅太阳电池中的p/i界面的价带失配以及TCO/p,n/metal界面接触势垒对电池光电特性的影响.分析总结了非晶硅基薄膜太阳电池中J-V曲线异常拐弯现象的种类和可能原因.

国家重大基础研究计划(973)项目

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17007

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103141

Idioma(s)

中文

Fonte

胡志华;廖显伯;刁宏伟;夏朝凤;许玲;曾湘波;郝会颖;孙光临.非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟,物理学报,2005,54(5):2302-2306

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文