氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流,但氧化孔的存在也会加大串联电阻.本文采用理论模型,详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻.把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻,分析了串联电阻与氧化孔半径的关系,提出了降低VCSEL串联电阻的具体方法. 含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流,但氧化孔的存在也会加大串联电阻.本文采用理论模型,详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻.把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻,分析了串联电阻与氧化孔半径的关系,提出了降低VCSEL串联电阻的具体方法. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:04:27导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4468.pdf: 400669 bytes, checksum: 8d60b8bc35d4d3179b7a4e9d7b58bbd3 (MD5) Previous issue date: 2005 国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助项目 中国科学院半导体研究所 国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
佟存柱;韩勤;彭红玲;牛智川;吴荣汉.氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分,半导体学报,2005,26(7):1459-1463 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
