GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
在SIMOX SOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGe on insulator)样品，并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为．用Raman，DCXRD，RBS和光学显微镜等分析手段对SGOI样品在退火前后的性能进行了表征．分析结果表明 国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘超;高兴国;李建平;曾一平;李晋闽.GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为,半导体学报,2005,26(6):1149-1153 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
