蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
采用低温氮化铟(InN)缓冲层，利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜．用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜，表面无铟滴．InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′；用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3．3nm；Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3．3×10^18cm^3，相应的电子迁移率为262cm^2／(V·s)． 采用低温氮化铟(InN)缓冲层，利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜．用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜，表面无铟滴．InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′；用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3．3nm；Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3．3×10^18cm^3，相应的电子迁移率为262cm^2／(V·s)． 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:04:24导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4460.pdf: 352286 bytes, checksum: d49ec4e112953f1110f479ed33a24ed6 (MD5) Previous issue date: 2005 国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展规划,国家自然科学基金 中国科学院半导体研究所 国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展规划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
肖红领;王晓亮;张南红;王军喜;刘宏新;韩勤;曾一平;李晋闽.蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长,半导体学报,2005,26(6):1169-1172 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
