p型纳米硅与a-Si∶H不锈钢底衬nip太阳电池
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
报道了选用厚度为0．05mm的不锈钢箔作衬底，B掺杂P型氢化纳米硅作窗口层，制备成功开路电压和填充因子分别达到0．90V和0．70的nip非晶硅基薄膜单结太阳电池．UV-VIS透射谱和微区Raman谱证实所用p层具有典型氢化纳米硅的宽能隙和含有硅结晶颗粒的微结构特征．明确指出导致这种氢化纳米硅能隙展宽的物理机制是量子尺寸效应． 国家重大基础研究计划(973)项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
胡志华;廖显伯;刁宏伟;夏朝凤;曾湘波;郝会颖;孔光临.p型纳米硅与a-Si∶H不锈钢底衬nip太阳电池,物理学报,2005,54(6):2945-2949 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
