16×0．8nm Si基SiO2阵列波导光栅设计、制备及测试
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
叙述了一个完整的16通道硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的设计、制备及测试过程。通道间隔为0．8nm(100GHz)，解复用器的插入损耗为16．8dB，其中材料损耗为11．95dB，相邻通道串扰小于一17dB，通道插损非均匀性小于2．2dB。 叙述了一个完整的16通道硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的设计、制备及测试过程。通道间隔为0．8nm(100GHz)，解复用器的插入损耗为16．8dB，其中材料损耗为11．95dB，相邻通道串扰小于一17dB，通道插损非均匀性小于2．2dB。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:04:18导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4446.pdf: 250779 bytes, checksum: f2896cd34acf04aacd9e361ab1ca7482 (MD5) Previous issue date: 2005 国家重点基础研究发展规划,国家资助项目 中国科学院半导体研究所 国家重点基础研究发展规划,国家资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李健;安俊明;王红杰;胡雄伟.16×0．8nm Si基SiO2阵列波导光栅设计、制备及测试,光学技术,2005,31(3):349-350 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
