非晶/微晶两相硅薄膜电池的计算机模拟
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
在对不同晶相比硅薄膜的实验研究的基础上,利用有效介质理论估算了这种两相材料的光吸收系数、迁移率寿命乘积及带隙宽度等参量,计算机模拟了不同结晶比硅薄膜电池的伏安特性及光谱响应;结果为随着本征层微晶成分的增多,电池的开路电压逐渐减小,短路电流逐渐增大,本征层的最佳厚度逐渐增大,填充因子有降低的趋势,电池的效率随晶相比的增大而减小.电池的光谱响应曲线表明,随晶相比的增大电池的长波响应明显提高.根据这些模拟结果,分析讨论了在考虑Lambertian背反射的情况下,非晶/微晶叠层电池的底电池采用晶相比为40%-50%的两相硅薄膜材料做本征层是最佳选择. 国家重点基础研究发展规划项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
郝会颖;孔光临;曾湘波;许颖;刁宏伟;廖显伯.非晶/微晶两相硅薄膜电池的计算机模拟,物理学报,2005,54(7):3370-3374 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
