1064nm RCE探测器光电响应特性分析
Data(s) |
2005
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Resumo |
对1064nm谐振腔增强型(RCE)光电探测器(PD)的光电响应特性进行了分析研究.利用MBE生长技术得到有源区分别为量子阱和量子点的1064nm RCE探测器的外延片,并对制作的探测器进行了各种光电特性测试.结果表明量子阱结构的RCE探测器量子效率峰值达到57%,谱线半宽6~7nm,峰值波长1059nm;而量子点结构的RCE探测器量子效率峰值达到30%,谱线半宽5nm,峰值波长1056nm.通过分析量子效率和吸收系数之间的关系,对两种结构器件的吸收进行了比较,发现虽然量子点探测器的吸收小,但通过合理设计共振腔等方法也可以达到较高的量子效率.两种结构的器件都有很好的I-V特性. 国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
彭红玲;章昊;韩勤;杨晓红;杜云;倪海桥;佟存柱;牛智川;郑厚植;吴荣汉.1064nm RCE探测器光电响应特性分析,半导体学报,2005,26(8):1605-1609 |
Palavras-Chave | #半导体物理 |
Tipo |
期刊论文 |