在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥

在现有的一台蒸发镀膜机基础上，设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统．该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点，有利于化合物半导体纳米材料的生长．利用该生长系统，通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面活性剂，分别在野衬底和3C—SiC／Si衬底上生长出高质量的具有纤锌矿结构的单晶GaN纳米线和纳米尖三棱锥．所得产物通过场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能量色散x射线谱仪、x射线衍射仪，和荧光谱仪进行表征．这里所用的生长方法新颖，生长出的GaN纳米尖三棱锥在场发射和激光方面有潜在的应用价值．

在现有的一台蒸发镀膜机基础上，设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统．该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点，有利于化合物半导体纳米材料的生长．利用该生长系统，通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面活性剂，分别在野衬底和3C—SiC／Si衬底上生长出高质量的具有纤锌矿结构的单晶GaN纳米线和纳米尖三棱锥．所得产物通过场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能量色散x射线谱仪、x射线衍射仪，和荧光谱仪进行表征．这里所用的生长方法新颖，生长出的GaN纳米尖三棱锥在场发射和激光方面有潜在的应用价值．

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:03:54导入数据到SEMI-IR的IR

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国家纳米科学中心资助的课题,国家自然科学基金,集成光电子国家重点实验室资助

北京大学物理学院;中国科学院半导体研究所;中国科学技术大学物理系

国家纳米科学中心资助的课题,国家自然科学基金,集成光电子国家重点实验室资助