带隙法测定SiGe／Si材料的应变状态
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
从固体模型理论的结果出发，计算了生长于Si（100）衬底上x值小于0．85的Si1-xGex合金材料（能带结构为类蛳结构）的间接带隙与应变的关系，结果表明，应变的SiGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系．基于这一结果，提出了用测量带隙来间接测定SiGe／Si应变状态的方法．用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应变状态下的SiGe／Si多量子阱材料的应变弛豫度，两者可以较好的符合，表明带隙法测量SiGe应变弛豫度是可行的． 从固体模型理论的结果出发，计算了生长于Si（100）衬底上x值小于0．85的Si1-xGex合金材料（能带结构为类蛳结构）的间接带隙与应变的关系，结果表明，应变的SiGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系．基于这一结果，提出了用测量带隙来间接测定SiGe／Si应变状态的方法．用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应变状态下的SiGe／Si多量子阱材料的应变弛豫度，两者可以较好的符合，表明带隙法测量SiGe应变弛豫度是可行的． 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:03:54导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4390.pdf: 329074 bytes, checksum: 6a32d5dc119e712376b11096bfe55f18 (MD5) Previous issue date: 2005 国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助的课题 中国科学院半导体研究所 国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
成步文;姚飞;薛春来;张建国;李传波;毛容伟;左玉华;罗丽萍;王启明.带隙法测定SiGe／Si材料的应变状态,物理学报,2005,54(9):4350-4353 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
