慢正电子对ZnO中本征缺陷的研究
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
利用慢正电子研究了不同氧含量时射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷（Vo,VZn）随混合气体中O2比例（PO2）的变化关系.结果表明 国家自然科学基金项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
彭成晓;翁惠民;杨晓杰;叶邦角;周先意;韩荣典.慢正电子对ZnO中本征缺陷的研究,核技术,2005,28(11):841-844 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
