GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
利用深能级瞬态谱（DLTS）技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs／AlAs异质结晶体品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷，而不同温度下生长的GaAs／Si／AlAs异质结随着温度的降低，深能级缺陷明显增加，并进行了分析，得到深能级是由Ga空位引起的，在600℃时生长的晶体质量最佳。 教育部高等学校骨干教师资助计划项目,曲阜师范大学校级项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李永平;田强;牛智川.GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究,量子电子学报,2005,22(6):923-926 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
