AlGaAs／GaAsHBT的设计与研制
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
分析了A1GaAs／GaAsHBT的原理和材料结构，详细介绍了AlGaAs／GaAsHBT的器件结构及工艺流程，并对两方面进行了优化，研制出了特性较好的AlGaAs／GaAsHBT，其电流放大系数达到180，是目前国内报道的最高水平；开启电压小于0.3V． 天津市高等学校科技发展基金资助,天津市应用基础研究重点项目资助 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
胡海蓉;牛萍娟;胡海洋;郭维廉.AlGaAs／GaAsHBT的设计与研制,河北工业大学学报,2005,34(6):87-90 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
