脉冲激光沉积方法制备ZnO薄膜生长参量对发光特性的影响

用脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（111）衬底上制备了ZnO薄膜。以325nmHe-Cd激光器为光源对薄膜进行了荧光光谱分析，用X射线衍射仪（XRD）和原子力显微镜（AFM）分别对薄膜的结构和形貌进行了分析。脉冲激光沉积方法的主要生长参量为氧压、激光重复频率、生长温度和激光能量。通过控制这些参量变量，研究了这些参量对ZnO薄膜发光特性的影响，得到了用于紫外发光的ZnO薄膜生长的优化条件

用脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（111）衬底上制备了ZnO薄膜。以325nmHe-Cd激光器为光源对薄膜进行了荧光光谱分析，用X射线衍射仪（XRD）和原子力显微镜（AFM）分别对薄膜的结构和形貌进行了分析。脉冲激光沉积方法的主要生长参量为氧压、激光重复频率、生长温度和激光能量。通过控制这些参量变量，研究了这些参量对ZnO薄膜发光特性的影响，得到了用于紫外发光的ZnO薄膜生长的优化条件

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:03:50导入数据到SEMI-IR的IR

Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4380.pdf: 267323 bytes, checksum: 0bb6bb4b719d1c595857e2cde051d7a1 (MD5) Previous issue date: 2005

国家自然科学基金,辽宁省科学技术基金资助课题

大连理工大学;中国科学院半导体研究所

国家自然科学基金,辽宁省科学技术基金资助课题