10 Gb/s电吸收调制器的微波封装设计


Autoria(s): 刘宇; 谢亮; 袁海庆; 张家宝; 祝宁华; 孙长征; 熊兵; 罗毅
Data(s)

2005

Resumo

在高速光电子器件的微波封装过程中,需要综合考虑封装寄生参数和芯片寄生参数对器件高频性能的影响。利用封装寄生参数对芯片寄生参数的补偿作用,成功实现了10Gb/s电吸收调制激光器(EML)的高频封装。通过封装前后芯片和器件的小信号频率响应测试结果对比,器件的反射参数和传输参数有所改善,3dB带宽达到10GHz;并进行了10Gb/s速率的光纤传输实验,经过40km光纤传输后通道代价不到1dBm(误码率为10^-12),满足10Gb/s长距离光纤传输系统的要求。

在高速光电子器件的微波封装过程中,需要综合考虑封装寄生参数和芯片寄生参数对器件高频性能的影响。利用封装寄生参数对芯片寄生参数的补偿作用,成功实现了10Gb/s电吸收调制激光器(EML)的高频封装。通过封装前后芯片和器件的小信号频率响应测试结果对比,器件的反射参数和传输参数有所改善,3dB带宽达到10GHz;并进行了10Gb/s速率的光纤传输实验,经过40km光纤传输后通道代价不到1dBm(误码率为10^-12),满足10Gb/s长距离光纤传输系统的要求。

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:03:48导入数据到SEMI-IR的IR

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国家973计划,国家863计划资助项目.

中国科学院半导体研究所;清华大学

国家973计划,国家863计划资助项目.

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16825

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103050

Idioma(s)

中文

Fonte

刘宇;谢亮;袁海庆;张家宝;祝宁华;孙长征;熊兵;罗毅.10 Gb/s电吸收调制器的微波封装设计,中国激光,2005,32(11):1495-1498

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文