用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点，尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例，因此相关的文献较多，但综述性文章却不多见。鉴于此，本文综述了用MOCVD法制备GaN基量子点的不同实验方法，并对影响量子点牛长的实验条件和参数做了简要的分析。希望能够对相关的实验研究工作提供一些参考。 国家自然科学基金专项研究课题,国家自然科学基金,教育部科学技术研究重点项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孟焘;朱贤方;王占国.用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析,稀有金属材料与工程,2005,34(12):1849-1853 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
