在复合衬底γ-Al2O3／Si（001）上生长GaN
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
采用分子束外延（MBE）生长方法，使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层，在Si（001）衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层，实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力．通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料，研究了复合衬底γ-Al2O3／Si（001）生长GaN情况，得到了六方相GaN单晶材料，实现了GaNC面生长．预铺薄层Al及高温AIN层可以提高GaN晶体质量，低温AIN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度．为解决Si（001）衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索。 中国科学院创新工程重要方向性项目,国家自然科学基金重点项目,国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展规划资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘喆;王军喜;李晋闽;刘宏新;王启元;王俊;张南红;肖红领;王晓亮;曾一平.在复合衬底γ-Al2O3／Si（001）上生长GaN,半导体学报,2005,26(12):2378-2384 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
