大功率宽面808nm GaAsP／AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计
| Data(s) |
2005
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| Resumo |
本文对有源区条宽100μm的GaAsP／AlGaAs 808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计．选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分，分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系．根据计算结果可知 本文对有源区条宽100μm的GaAsP／AlGaAs 808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计．选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分，分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系．根据计算结果可知 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:03:44导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4365.pdf: 354315 bytes, checksum: 3c2eb454b9edad9cd8f2e39884d9711a (MD5) Previous issue date: 2005 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王俊;马骁宇;林涛;郑凯;冯小明.大功率宽面808nm GaAsP／AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计,半导体学报,2005,26(12):2449-2454 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
