快速热退火对高应变InGaAs／GaAs量子阱的影响
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
用固态分子束外延技术生长了高应变．In0．45Ga0.55As／GaAs量子阱材料．研究了快速热退火对高应变InGaAs／GaAs量子阱材料光学性质的影响．本文采用假设InGaAs／GaAs量子阱中的In—Ga原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法，对不同退火温度下InGaAs／GaAs量子阱室温光致发光峰值波长拟合，得到了In原子在高应变InGaAs／GaAs量子阱中的扩散系数以及扩散激活能（O．88ev）． 国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
苗振华;徐应强;张石勇;吴东海;赵欢;牛智川.快速热退火对高应变InGaAs／GaAs量子阱的影响,半导体学报,2005,26(9):1749-1752 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
