1.3μm GaAs基量子点垂直腔面发射激光器结构设计与分析
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了不同结构VCSEL的腔内损耗和量子点的模式增益.分析了激光器阈值特性以及氧化限制层对光损耗的影响.设计了含氧化限制层的1.3 μm量子点VCSEL结构. 国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
佟存柱;牛智川;韩勤;吴荣汉.1.3μm GaAs基量子点垂直腔面发射激光器结构设计与分析,物理学报,2005,54(8):3651-3656 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
