GaAs基GaAsSb／GaInAs双层量子阱的发光
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
嵌入GaAs中的GaAsSb／GaInAs量子阱因其在1．3～1．5μm光通信波段发光的潜力而受到关注，我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb／GaInAs量子阱样品的光致发光，发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1．3μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰。变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现，高能峰只有在150K以上的测试条件下才能观测到，并且其相对强度随着温度的升高而增加，其调制光谱显示出第一类跃迁的特征。他们建立了理论模型，计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁，并与实验数据吻合得很好。同时初步讨论了改善1．3μm的低能峰发光的方法。 嵌入GaAs中的GaAsSb／GaInAs量子阱因其在1．3～1．5μm光通信波段发光的潜力而受到关注，我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb／GaInAs量子阱样品的光致发光，发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1．3μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰。变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现，高能峰只有在150K以上的测试条件下才能观测到，并且其相对强度随着温度的升高而增加，其调制光谱显示出第一类跃迁的特征。他们建立了理论模型，计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁，并与实验数据吻合得很好。同时初步讨论了改善1．3μm的低能峰发光的方法。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:03:35导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4336.pdf: 285178 bytes, checksum: e2186eddee9fe5dd0183b3b805fd0b40 (MD5) Previous issue date: 2005 国家自然科学基金资助项目 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
屈玉华;江德生;边历峰;孙征;牛智川;徐晓华.GaAs基GaAsSb／GaInAs双层量子阱的发光,发光学报,2005,26(4):507-512 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
