带有Bragg反射镜的谐振腔增强型Si光电探测器
| Data(s) |
2006
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| Resumo |
采用电子束蒸发和键合技术，制作了具有高反射率的、表面为薄层单晶Si的分布Bragg反射器。用标准光刻工艺在单晶Si薄层上制作出窄带谐振腔增强型（RCE）金属一半导体一金属（MSM）光电探测器，响应峰值波长分别在836、900、965和1030nm处，其中在900nm处峰值半高宽为18nm。该器件具有波长选择特性，可有效抑制相邻频道间的串扰，而且容易制成集成面阵。 采用电子束蒸发和键合技术，制作了具有高反射率的、表面为薄层单晶Si的分布Bragg反射器。用标准光刻工艺在单晶Si薄层上制作出窄带谐振腔增强型（RCE）金属一半导体一金属（MSM）光电探测器，响应峰值波长分别在836、900、965和1030nm处，其中在900nm处峰值半高宽为18nm。该器件具有波长选择特性，可有效抑制相邻频道间的串扰，而且容易制成集成面阵。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:03:32导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4330.pdf: 170143 bytes, checksum: 4e3d9d34168b39f3578e3e9fbfb50479 (MD5) Previous issue date: 2006 福建省青年科技人才创新资助项目 厦门大学物理系半导体光电于学研究中心;中国科学院半导体研究所 福建省青年科技人才创新资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李成;赖虹凯;陈松岩;王启明.带有Bragg反射镜的谐振腔增强型Si光电探测器,光电子·激光,2006,17(1):62-64 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
