化学气相传输法生长ZnO单晶


Autoria(s): 赵有文; 董志远; 魏学成; 段满龙; 李晋闽
Data(s)

2006

Resumo

利用化学气相传输法生长了ZnO单晶.通过控制源区和生长端的温度梯度,使用碳辅助增强质量传尊挚应,在无籽晶自发成核的条件下,得到了晶粒尺寸达5mm×8mm的ZnO晶体.利用长有GaN层的蓝宝石号片待为籽晶,得到了直径32mm、厚4mm左右的ZnO单晶体.用光致发光谱和X射线双晶衍射研究了ZnO晶体的性质并对生长的热力学过程和现象进行了分析.

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16727

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103001

Idioma(s)

中文

Fonte

赵有文;董志远;魏学成;段满龙;李晋闽.化学气相传输法生长ZnO单晶,半导体学报,2006,27(2):336-339

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文