纳米Si镶嵌SiO2薄膜的发光与非线性光学特性的应用
| Data(s) |
2006
|
|---|---|
| Resumo |
采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备了纳米Si镶嵌SiO2薄膜，在室温下观察到光致发光现象，峰值分别位于360，430和835nm，结合吸收谱、光致发光激发谱和X射线衍射分析讨论了发光机理．利用纳米Si镶嵌SiO2薄膜的非线性光学特性可作为可饱和吸收体，在Nd 采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备了纳米Si镶嵌SiO2薄膜，在室温下观察到光致发光现象，峰值分别位于360，430和835nm，结合吸收谱、光致发光激发谱和X射线衍射分析讨论了发光机理．利用纳米Si镶嵌SiO2薄膜的非线性光学特性可作为可饱和吸收体，在Nd 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:03:28导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4319.pdf: 335894 bytes, checksum: c3eb467714341228fca9bf7fb4aa3171 (MD5) Previous issue date: 2006 国家自然科学基金重点资助项目 华侨大学;中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金重点资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
郭亨群;林赏心;王启明.纳米Si镶嵌SiO2薄膜的发光与非线性光学特性的应用,半导体学报,2006,27(2):345-349 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
