半导体中的自旋弛豫——从体材料到量子阱、量子线、量子点

本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾，介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程，主要关注了自旋去相位和相干控制。对于不同材料中的各种弛豫机制，关注的重点在于如何能够在实验上以一种可以控制的方式来改变可调参数从而达到控制自旋弛豫过程。这些参数主要有电场、磁场、温度、应变、有效g因子等等。本文的组织上，首先介绍研究前景，第1部分简要介绍了自旋弛豫的四种机制。第2部分按照维数的不同将半导体中自旋弛豫分为3个部分

本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾，介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程，主要关注了自旋去相位和相干控制。对于不同材料中的各种弛豫机制，关注的重点在于如何能够在实验上以一种可以控制的方式来改变可调参数从而达到控制自旋弛豫过程。这些参数主要有电场、磁场、温度、应变、有效g因子等等。本文的组织上，首先介绍研究前景，第1部分简要介绍了自旋弛豫的四种机制。第2部分按照维数的不同将半导体中自旋弛豫分为3个部分

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zhangdi于2010-11-23 13:03:22导入数据到SEMI-IR的IR

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国家自然科学基金资助

中国科学院半导体研究所

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