半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制
| Data(s) |
2006
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|---|---|
| Resumo |
综合深能级缺陷和电学性质的测试结果，证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关．通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系，给出了抑制缺陷产生，提高材料质量的途径．对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论。 综合深能级缺陷和电学性质的测试结果，证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关．通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系，给出了抑制缺陷产生，提高材料质量的途径．对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:03:11导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4295.pdf: 321352 bytes, checksum: deee9dd228547f92f317d644b6ad7a8d (MD5) Previous issue date: 2006 中国科学院半导体研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
赵有文;董志远;李成基;段满龙;孙文荣.半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制,半导体学报,2006,27(3):524-529 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
