InAlAs量子点材料的AFM和拉曼散射研究
Data(s) |
2006
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Resumo |
对分子束外延(MBE)自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜(AnD对量子点形貌观察的结果,分析了InAlAs量子点生长过程中尺寸、密度和均匀性的改变,并研究了三维岛的结构对拉曼谱线的影响。对InAlAs淀积厚度不同样品的拉曼谱分析表明,岛状结构的尺寸横纵比与类GaAsLO模和类AlAs LO模的半高全宽有密切关系。不同偏振下的拉曼实验证实了该结构中的光学声子在Z(X,X)Z偏振条件下为非拉曼活性。 对分子束外延(MBE)自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜(AnD对量子点形貌观察的结果,分析了InAlAs量子点生长过程中尺寸、密度和均匀性的改变,并研究了三维岛的结构对拉曼谱线的影响。对InAlAs淀积厚度不同样品的拉曼谱分析表明,岛状结构的尺寸横纵比与类GaAsLO模和类AlAs LO模的半高全宽有密切关系。不同偏振下的拉曼实验证实了该结构中的光学声子在Z(X,X)Z偏振条件下为非拉曼活性。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:03:09导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4289.pdf: 528427 bytes, checksum: 9335ca1c3095383f7e1f68949d564055 (MD5) Previous issue date: 2006 国家自然科学基金 天津市南开大学;中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
张冠杰;陈涌海;姚江宏;舒强;刘如彬;舒永春;王占国;许京军.InAlAs量子点材料的AFM和拉曼散射研究,激光与光电子学进展,2006,43(4):68-72 |
Palavras-Chave | #半导体材料 |
Tipo |
期刊论文 |